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INVSc1 Chemically Competent Cell

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 INVSc1 Competent Cell:                                      100μl/支              保存: -80℃(3個月)

pYES2 (control vector, 10 ng/μl)                              10μl               保存:-80℃(12個月)

Carrier DNA (10 μg/μl)                                             100μl              保存:-20℃(12個月)

PEG/LiAC:                                                                    5ml              保存:    4℃(12個月)

基因型

MATa his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52/MATα his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52 

產(chǎn)品說明

INVSc1菌株是專門用來做重組蛋白表達的宿主酵母,pYES2質(zhì)粒與INVSc1酵母配套使用,激活pYES2質(zhì)粒的GAL1啟動子的轉(zhuǎn)錄進而啟動下游重組蛋白的表達。INVSc1為合子型,可直接通過PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進入INVSc1細胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標志為URA,可用SD-URA板進行篩選。INVSc1感受態(tài)細胞經(jīng)特殊工藝制作,-80℃可保存三個月,pYES2質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>10cfu/μg DNA

操作方法

1. 取100 µl冰上融化的INVSc1感受態(tài)細胞,依次加入預冷的目的質(zhì)粒2-5 µg,Carrier DNA (95-100℃,5 min,快速冰浴,重復一次) 10 µl,PEG/LiAc 500 µl并吸打幾次混勻,30℃水浴30 min (15 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。

2. 將管放42℃水浴15 min (7.5 min時翻轉(zhuǎn)6-8次混勻)。

3. 5000 rpm離心 40 s棄上清,ddH2O 400 µl 重懸,離心 30s棄上清。

4. ddH2O 50 µl重懸,涂質(zhì)粒篩選用:SD-U medium板,29℃培養(yǎng)48-96 h。

注意事項

1. 感受態(tài)細胞在冰上融化。

2. 轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)?上鄳獪p少終用于涂板的菌量。

3. INVSc1酵母菌株對高溫敏感,適生長溫度為27-30℃;高于31℃,生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。

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